芯片剝層技術(shù)在集成電路失效分析中的應(yīng)用 隨著集成電路向多層結(jié)構(gòu)方向的發(fā)展，對(duì)芯片進(jìn)行失效方向必須解決多層結(jié)構(gòu)下層的可觀察性的可測(cè)試性。本文介紹了失效分析中去鈍化層、金屬化層和層間介質(zhì)等的各種方法，包括濕法腐蝕、反應(yīng)離子刻蝕和FIB刻蝕等方法，結(jié)合圖例進(jìn)行剝層前后對(duì)比分析，并通過實(shí)例說明剝層技術(shù)在集成電路失效分析中的重要作用。